IGBT我們都知道是變頻器的核心組件之一，它屬于現今很多電氣設備不可代替的核心組件之一，具備能源變換和傳輸的功能，那么它具備哪些優缺點呢。

IGBT優點

IGBT綜合了電力MOSFET和GTR的優點，具有驅動簡單，保護容易，不用緩沖電路，開關頻率高等優點。它應用在變頻器中，使變頻器具有以下優點:輸出電流波形大為改善，電動機的轉矩增大;電磁噪聲極小，獲得“靜音式”美稱;增強了對常見故障(過流、過壓瞬間斷電等)的自處理能力,故障率大為減小,變頻器自身的損耗也大為減少。

當前，世界上各大公司已把IGBT發展到第三代、第四代，IGBT器件早已完成集成化、模塊化，模塊的簡化電路與GTR模塊相似，其驅動電路也已完成模塊化。其導通壓降可在1.5~開2.0V范圍，關斷時間為0.2~0.3pus, 其額定電壓和電流等級也在不斷提高。在中小容量的變頻器中1GBT已經取代了GTR，在多電平(如三電平)、高電壓的變頻器中也廣泛使用。

IGBT缺點

1.因為IGBT工作時，其漏極區(P區)將向漂移區(N區)注入少數載流子一 空穴，則在漂移區中存儲有少數載流子電荷;當IGBT關斷(柵極電壓降為0)時，這些存儲的電荷不能立即去掉，從而IGBT的漏極電流也就相應地不能馬上關斷，即漏極電流波形有一個較長時間的拖尾關斷時間較長(10~50ms)。所以IGBT的工作頻率較低。為了縮短關斷時間，可以采用電子輻照等方法來降低少數載流子的壽命，但是這將會引起正向壓降增大等弊病。

2.IGBT 中存在有寄生晶閘管一MOS 柵控的N-PN -P*晶閘管結構，這就使得器件的最大工作電流要受到此寄生晶閘管閉鎖效應的限制(采用陰極短路技術可以適當地減弱這種不良影響)。